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8205
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。 电池供电系统
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 8205
- 商品编号
- C7499847
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 465pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 4N50是先进的VD N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。