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30N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
- 描述
- Tphtei o2n 0N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N04符合RoHS和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30N04
- 商品编号
- C7499840
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
6003是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。6003符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 先进的高单元密度沟槽技术