温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 582pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该N沟道MOSFET专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低侧”同步整流器操作进行了优化，能在小型封装内提供极低的R_DS(ON)。
商品特性
- V_DS(V) = 30 V
- I_D = 14 A
- R_DS(ON) < 7.5 mΩ (V_GS = 10 V)
- R_DS(ON) < Q mΩ (V_GS = 4.5 V)
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的R_DS(ON)
- 低栅极电荷（典型值22 nC）
- IRF7809AVTR(UMW)
- FDS6680A(UMW)
- IRF7456TR(UMW)
- NTMS4916NR2G(UMW)
- FDS6676AS(UMW)
- IRF7821TR(UMW)
- FDS6670A(UMW)
- FDS6570A(UMW)
- AOD516(UMW)
- FDD8880(UMW)
- IRFR3707ZTR(UMW)
- FDD6670A(UMW)
- NTD20N03L27T4G(UMW)
- NTD4858NT4G(UMW)
- FDD8870(UMW)
- IPD135N03LG(UMW)
- AOD210(UMW)
- IRLR7843TR(UMW)
- RFD16N05LSM9A(UMW)
- RFD12N06RLESM9A(UMW)
- FQD13N06LTM(UMW)
- IRF7809AVTR(UMW)
- FDS6680A(UMW)
- IRF7456TR(UMW)
- NTMS4916NR2G(UMW)
- FDS6676AS(UMW)
- IRF7821TR(UMW)
- FDS6670A(UMW)
- FDS6570A(UMW)
- AOD516(UMW)
- FDD8880(UMW)
- IRFR3707ZTR(UMW)
- FDD6670A(UMW)
- NTD20N03L27T4G(UMW)
- NTD4858NT4G(UMW)
- FDD8870(UMW)
- IPD135N03LG(UMW)
- AOD210(UMW)
- IRLR7843TR(UMW)
- RFD16N05LSM9A(UMW)
- RFD12N06RLESM9A(UMW)
- FQD13N06LTM(UMW)