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RFD12N06RLESM9A(UMW)
耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=60V。 RDS(ON)<63mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<71mΩ(VGS=5V)。 超低导通电阻。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 开关时间与RGS曲线
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- RFD12N06RLESM9A(UMW)
- 商品编号
- C7499401
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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