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FQD13N06LTM(UMW)
耐压:60V 电流:11A
- 描述
- 特性：VDS(V)=60V。 ID = 5.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<115mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<145mΩ(VGS=5V)。 低栅极电荷（典型值4.8nC）。 低Crss（典型值17pF）。 可由逻辑驱动器直接操作。 低电平栅极驱动要求
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FQD13N06LTM(UMW)
- 商品编号
- C7499402
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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