温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JMTQ170C04D
N沟道和P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：N-Channel: 40V, 14A。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = -4.5V。 P-Channel: -40V, -14A。 RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ @ VGS = -4.5V。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTQ170C04D
- 商品编号
- C7499409
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF；980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF；68.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86.2pF；107pF |
商品概述
30N10是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 30N10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- N沟道:40V、14A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 22mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 28mΩ
- P沟道:-40V、-14A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 50mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 70mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐