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IPD135N03LG(UMW)
耐压:30V 电流:30A
- 描述
- 特性：VDS(V) = 30V。 ID = 30A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 13.5mΩ (VGS = 10V)。 用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 雪崩额定。 极低的导通电阻RDS(ON)。 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积（FOM）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPD135N03LG(UMW)
- 商品编号
- C7499397
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47432克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |