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FDD6670A(UMW)
耐压:30V 电流:66A
- 描述
- 特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 优化了低栅极电荷、低导通电阻（RDS(ON)）、快速开关速度。 在小封装中具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。 VDS(V) = 30V。 RDS(ON) = 8mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 10mΩ（VGS = 4.5V）。 低栅极电荷。 快速开关。 采用高性能沟槽技术以实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD6670A(UMW)
- 商品编号
- C7499393
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.755nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
FDS6676AS旨在替代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = 30 V
- 漏极电流ID = 14.5 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 6 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 7.25 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 高功率和高电流处理能力
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)和快速开关
- 符合RoHS标准
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值45nC）