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RFD16N05LSM9A(UMW)
1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
- 描述
- 特性：VDS(V) = 60V。 RDS(ON) < 47mΩ (VGS = 5V)。 UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)。 为5V栅极驱动优化设计。 SOA受功率耗散限制。 纳秒级开关速度。 线性传输特性。 高输入阻抗。 多数载流子器件。 可直接由CMOS、NMOS和TTL电路驱动
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- RFD16N05LSM9A(UMW)
- 商品编号
- C7499400
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个2500个/圆盘
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