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AOD210(UMW)
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 特性：使用独特优化的沟槽MOSFET技术，提供高效的高频开关性能。 由于极低的RDS(ON)和Crss组合，功率损耗最小化。 VDS(V) = 30V。 ID = 70A (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) ≤ 3.9mΩ (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD210(UMW)
- 商品编号
- C7499398
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47552克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.32nF |
商品概述
AOD210采用了独特优化的沟槽MOSFET技术，可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和反向传输电容（Crss）组合，功率损耗得以最小化。
商品特性
- VDS(V) = 30 V
- ID = 70 A \left(VGS = 10 V\right)
- RDS(ON) \leq 3 m Ω \left(VGS = 10 V\right)
- RDS(ON) \leq 3.9 m Ω \left(VGS = 4.5 V\right)