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IRLR7843TR(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:161A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。 超低栅极阻抗。 完全表征雪崩电压和电流。应用：计算机处理器电源的高频同步降压转换器
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLR7843TR(UMW)
- 商品编号
- C7499399
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45908克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 161A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 940pF |