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IRLR7843TR(UMW)实物图
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IRLR7843TR(UMW)

N沟道 耐压:30V 电流:161A

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描述
特性:VDS(V)=30V 。 Qg=34nC 。 RDS(ON)<3.3mΩ(VGS=10V)。 4.5V VGS时极低的RDS(ON)。 超低栅极阻抗。 完全表征雪崩电压和电流。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器
商品型号
IRLR7843TR(UMW)
商品编号
C7499399
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.45908克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)161A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)4.38nF
反向传输电容(Crss)430pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)940pF

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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