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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS6676AS(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:14.5A
- 描述
- 设计用于在同步 DC-DC 电源中替代单个 SO-8 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS6676AS(UMW)
- 商品编号
- C7499386
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.51nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
FDS6676AS旨在替代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大化电源转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V
- 漏极电流ID = 14.5A
- 导通电阻RDS(ON) < 6mΩ (栅源电压VGS = 10V时)
- 导通电阻RDS(ON) < 7.25mΩ (栅源电压VGS = 4.5V时)
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 符合RoHS标准
- 包含同步FET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值45nC）
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