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FDS6680A(UMW)
耐压:30V 电流:12.5A
- 描述
- 特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 12.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 9.5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 13mΩ (VGS = 4.5V)。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDo(sON)。 超低栅极电荷
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS6680A(UMW)
- 商品编号
- C7499383
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS(V)) = 30V
- 漏极电流(ID) = 12.5A
- 导通电阻(RDS(ON)) < 7.8mΩ (栅源电压(VGS) = 10V)
- 导通电阻(RDS(ON)) < 9.9mΩ (栅源电压(VGS) = 4.5V)
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 超低栅极电荷
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