DMG4800LSD-13-VB
30V 11A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双路N+N沟道MOSFET,采用Trench工艺,可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8;2个N—Channel沟道,30V;13.5A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG4800LSD-13-VB
- 商品编号
- C7494615
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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