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CEM6088-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源开关模块、汽车电子领域、工业自动化领域等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；10A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CEM6088-VB
- 商品编号
- C7494621
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 217pF |
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性负载开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-机顶盒-低电流直流-直流转换
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