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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CEM6088-VB

2个N沟道 耐压:60V 电流:10A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源开关模块、汽车电子领域、工业自动化领域等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；10A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CEM6088-VB
商品编号
C7494621
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.136克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V；15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)4.77W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)586pF
反向传输电容(Crss)155pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)217pF

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