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SI7228DN-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:26A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高性能功率控制和开关应用。QFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,30V；26A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7228DN-VB
- 商品编号
- C7494634
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 14.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器-N沟道MOSFET