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SIHF18N50D-E3-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHF18N50D-E3-VB
- 商品编号
- C7494636
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.736克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 降低反向恢复时间 trr、反向恢复电荷 Qrr 和反向恢复峰值电流 IRRM
- 低品质因数(FOM)导通电阻 R\text on 与栅极电荷 Q\text g 的乘积
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 因 Qrr 降低而具有低开关损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-消费电子和计算机-ATX 电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关电源(SMPS)