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SiA921EDJ-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-5.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA921EDJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7494641
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175°C
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
- N沟道MOSFET
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