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SiA921EDJ-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。DFN6(2X2)；2个P—Channel沟道,-30V；-5.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA921EDJ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7494641
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤素产品可选
- 沟槽功率 MOSFET
- 新型低热阻封装
应用领域
- 便携式设备
- 电池开关
- 负载开关
- BUK7214-75B-VB
- IRLML2402GTRPBF-VB
- M12-P4D-MWA-2PV-S
- M12-S5A-MWA-2PV-S
- R11
- TMC5240ATJ+T
- YJD106520FQG2
- EC200MCNLF-I03-SNNDA
- LPS4012-103MRC
- CH32V303CBT6
- NT4R1600
- ESS1H1R0M030500B
- ESS1H100M040700B
- ELJ1V331M101200Y
- ELJ1V331M101600Y
- ELJ1H221M081200Y
- ERF2G3R3M060900Y-1
- ELJ1E471M081200Y
- ERK2G150M081400B-2
- ERZ1HM471W20C36T
- 041N-1BVZ15-S1