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si7456ddp-VB
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种高性能功率电子应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；30A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- si7456ddp-VB
- 商品编号
- C7494635
- 商品封装
- DFN-8(5X6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-隔离式DC/DC转换器-N沟道MOSFET