温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
IRF5801TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:4A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。SOT23-6；N—Channel沟道,200V；4A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF5801TRPBF-VB商品编号
C7494625商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥1.46
10+￥1.43
30+￥1.41
100+￥1.39￥4170
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
475
购买数量(3000个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个3000个/圆盘
近期成交2单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
