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SI6562DQ-T1-GE3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种应用场景，为电路设计提供了灵活的解决方案。TSSOP8；N+P—Channel沟道,±30V；6.2/-5A；RDS(ON)=22/45mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI6562DQ-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7494633
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC；7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF；550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF；170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF；190pF |
优惠活动
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