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SI6562DQ-T1-GE3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种应用场景，为电路设计提供了灵活的解决方案。TSSOP8；N+P—Channel沟道,±30V；6.2/-5A；RDS(ON)=22/45mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI6562DQ-T1-GE3-VB商品编号
C7494633商品封装
TSSOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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