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MTB50P03HDLT4G-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、驱动器、电机控制、汽车电子系统和LED照明等领域的模块设计。TO263；P—Channel沟道,-30V；-75A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTB50P03HDLT4G-VB
- 商品编号
- C7494630
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V；56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.455nF |
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