AO9926C-VB

2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

AO9926C-VB

商品编号

C7494618

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.141克(g)