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02N80C3 TO252-VB实物图
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02N80C3 TO252-VB

1个N沟道 耐压:800V 电流:1.8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
TO252；N—Channel沟道,800V；2.8A；RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
02N80C3 TO252-VB
商品编号
C7494617
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.393克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)1.8A
导通电阻(RDS(on))2.38Ω@10V
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.6nC@10V
输入电容(Ciss)315pF
反向传输电容(Crss)6pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)20pF

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