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SUD09P10-195-GE3-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:8.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-8.8A；RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUD09P10-195-GE3-VB
- 商品编号
- C7463611
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
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