SI4441EY-T1-E3-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:11.6A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4441EY-T1-E3-VB

商品编号

C7463618

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.123667克(g)