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SiA444DJT-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要小型尺寸和低功率的应用场合，能够在紧凑空间内提供可靠的功率控制和稳定性。DFN6(2X2)；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiA444DJT-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7463622
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V；27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V；8.2nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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