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SQ4917EY-T1-E3-VB实物图
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SQ4917EY-T1-E3-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SQ4917EY-T1-E3-VB
商品编号
C7463632
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.123克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.67W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF@30V
反向传输电容(Crss)142pF@30V
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)334pF

数据手册PDF

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