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SI4447ADY-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:16.1A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4447ADY-T1-GE3-VB商品编号
C7463635商品封装
SOP8包装方式
编带
商品毛重
0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 16.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 6.3W |
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