SI1965DH-T1-GE3-VB

2个P沟道耐压:20V 电流:1.8A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款双P+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种低功率应用场景，其小型封装、低功耗和稳定性使其成为移动设备、消费类电子、医疗设备和工业控制等领域的理想选择。SC70-6；2个P—Channel沟道,-20V；-1.8A；RDS(ON)=155mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: SI1965DH-T1-GE3-VB
商品编号: C7463656
商品封装: SC-70-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0199克(g)

商品参数

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