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SI1965DH-T1-GE3-VB
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双P+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种低功率应用场景，其小型封装、低功耗和稳定性使其成为移动设备、消费类电子、医疗设备和工业控制等领域的理想选择。SC70-6；2个P—Channel沟道,-20V；-1.8A；RDS(ON)=155mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI1965DH-T1-GE3-VB商品编号
C7463656商品封装
SC-70-6包装方式
编带
商品毛重
0.0199克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 155mΩ@4.5V |
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