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FDS6890A-NL-VB
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS6890A-NL-VB
- 商品编号
- C7463661
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V；26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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