2SK1591-T1B-A-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:260mA

描述

台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

2SK1591-T1B-A-VB

商品编号

C7463666

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0422克(g)