DMN3033LSN-7-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;这是一款单通道N沟道场效应晶体管(单N),采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.7~2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMN3033LSN-7-VB
- 商品编号
- C7463669
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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