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SI3456DDV-T1-GE3-VB实物图
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SI3456DDV-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.5A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有小型封装和低功耗特性，采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI3456DDV-T1-GE3-VB
商品编号
C7463689
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.0479克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)4.2nC@15V
输入电容(Ciss)424pF@15V
反向传输电容(Crss)42pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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