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PSMN035-150B-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电动车电机控制器、太阳能光伏逆变器、工业自动化设备等领域。TO263；N—Channel沟道,150V；45A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=4~6V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
PSMN035-150B-VB商品编号
C7463699商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V |
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