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PSMN035-150B-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电动车电机控制器、太阳能光伏逆变器、工业自动化设备等领域。TO263；N—Channel沟道,150V；45A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=4~6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PSMN035-150B-VB
- 商品编号
- C7463699
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直流 - 直流（DC/DC）转换器
- 便携式应用的负载开关