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BSC160N10NS3 G-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:65A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSC160N10NS3 G-VB
- 商品编号
- C7463910
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.97nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器