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IRFHS9301TRPBF-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率场效应晶体管，采用Trench技术，提高了器件的性能和稳定性，适用于手机、移动设备、消费电子产品、工业自动化和LED照明等领域。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-20V；-10A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFHS9301TRPBF-VB
- 商品编号
- C7463915
- 商品封装
- DFN2x2-6-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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