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FDMA507PZ-VB
1个P沟道 耐压:20V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率场效应晶体管，采用Trench技术，提高了器件的性能和稳定性，适用于手机、移动设备、消费电子产品、工业自动化和LED照明等领域。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-20V；-10A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDMA507PZ-VB商品编号
C7463899商品封装
QFN6(2X2)包装方式
编带
商品毛重
0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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