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UT2302L-AE3-R-VB实物图
  • UT2302L-AE3-R-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UT2302L-AE3-R-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应晶体管,适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造;可用作开关电源的关键部件,驱动汽车电子系统中的各种负载,控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23;N—Channel沟道,20V;6A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.45~1V;
商品型号
UT2302L-AE3-R-VB
商品编号
C7463692
商品封装
SOT23​
包装方式
编带
商品毛重
0.043333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)865pF@10V
反向传输电容(Crss)55pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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