温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SI4920DY-T1-E3-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4920DY-T1-E3-VB商品编号
C7463697商品封装
SOP8包装方式
编带
商品毛重
0.121克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V | |
| 功率(Pd) | 3.1W |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥1.33
10+￥1.31
30+￥1.29
100+￥1.27￥5080
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
289
购买数量(4000个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个4000个/圆盘
近期成交1单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
