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SI6435ADQ-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源和功率控制应用。TSSOP8；P—Channel沟道,-20V；-9A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~1V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI6435ADQ-T1-GE3-VB商品编号
C7463690商品封装
TSSOP8包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@4.5V | |
| 功率(Pd) | 1.05W |
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