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SI6435ADQ-T1-GE3-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI6435ADQ-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:9A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源和功率控制应用。TSSOP8；P—Channel沟道,-20V；-9A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI6435ADQ-T1-GE3-VB
商品编号
C7463690
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@4.5V；16mΩ@1.8V；12mΩ@2.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V@450uA
栅极电荷量(Qg)46nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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