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IRF4435TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF4435TRPBF-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:9A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF4435TRPBF-VB
商品编号
C7463688
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.113333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V；24mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V；13nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.495nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)180pF

数据手册PDF

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