FDS4897AC-NL-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款双N型和P型场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8;N+P—Channel沟道,±60V;5.3/-4.9A;RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±3;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS4897AC-NL-VB
- 商品编号
- C7463686
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V;55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W;3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF;95pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- DMG6968U-7-F-VB
- IRF4435TRPBF-VB
- SI3456DDV-T1-GE3-VB
- SI6435ADQ-T1-GE3-VB
- SI3460DV-T1-E3-VB
- UT2302L-AE3-R-VB
- APM9435KC-TRL-VB
- WNM2020-3/TR-VB
- 2SJ598-Z-E1-AZ-VB
- FDS6673BZ-NL-VB
- SI4920DY-T1-E3-VB
- SSM2307GN-VB
- PSMN035-150B-VB
- SM2300NSAC-TRG-VB
- FDMA507PZ-VB
- BSC340N08NS3 G-VB
- FDMS039N08B-VB
- NTLJD4116NT1G-VB
- FDMS8320LDC-VB
- BSC011N03LS-VB
- IRLH5034TRPBF-VB
