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IRFBC30PBF-VB

1个N沟道 耐压:650V 电流:4.5A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。TO220；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFBC30PBF-VB
商品编号
C7463667
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.764克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@10V
耗散功率(Pd)9W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)1.017nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)170pF

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