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NDS356AP-NL-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NDS356AP-NL-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
商品型号
NDS356AP-NL-VB
商品编号
C7463657
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0429克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.4A
导通电阻(RDS(on))46mΩ@10V;54mΩ@4.5V;49mΩ@6V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)11.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.295nF@15V
反向传输电容(Crss)130pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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