IRF8721TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺,适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,30V;13A;RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF8721TRPBF-VB
- 商品编号
- C7463659
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V;11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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