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SI4922BDY-T1-E3-VB实物图
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SI4922BDY-T1-E3-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:7.2A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI4922BDY-T1-E3-VB
商品编号
C7463654
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.122克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V；20mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.5nC@10V
输入电容(Ciss)660pF@15V
反向传输电容(Crss)86pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)140pF

数据手册PDF

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