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AP2311GN-HF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

AP2311GN-HF-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:3.8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AP2311GN-HF-VB
商品编号
C7463648
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.046367克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)27W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)270pF@25V
反向传输电容(Crss)31pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)170pF

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