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IRF7342QTRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF7342QTRPBF-VB

2个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7342QTRPBF-VB
商品编号
C7463642
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.122667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.3A
导通电阻(RDS(on))54mΩ@10V；60mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC@10V；15nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)210pF

数据手册PDF

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