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IRF7342QTRPBF-VB
2个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7342QTRPBF-VB商品编号
C7463642商品封装
SOP8包装方式
编带
商品毛重
0.122667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@10V |
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