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IRFU3505PBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFU3505PBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:55A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO251；N—Channel沟道,60V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFU3505PBF-VB
商品编号
C7463628
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)3.65nF
反向传输电容(Crss)325pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)570pF

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